三星电子：AI浪潮驱动存储芯片需求爆发 明年供应缺口或成行业常态

出处：维库电子市场网

在全球人工智能竞赛持续升温的背景下，三星电子近日释放重磅信号：2026年存储器市场需求将呈现前所未有的强劲态势，主要客户订单量已超过自身供应能力。这一预测源自其存储业务在HBM（高带宽内存）领域的突破性进展，以及AI服务器对高附加值存储产品的爆发式需求。
　　HBM技术成增长引擎 三星加速布局下一代产品
　　第三季度财报显示，三星HBM3E芯片实现量产并全面投放市场，单季度比特销量环比激增80%。更值得关注的是，已完成开发的HBM4样品已交付所有目标客户，其低功耗下11Gbps的超高传输性能，正吸引英伟达等AI巨头调整原定计划并提出更高性能要求。三星透露，2026年HBM产能扩张计划已获客户订单保障，但仍需评估额外增产可能性以应对持续涌入的需求。
　　万亿韩元投资备战 高附加值产品矩阵成型
　　为抢占技术制高点，三星宣布2025年将投入47.4万亿韩元（约合333亿美元）进行产能升级，其中半导体部门独占86%预算。这笔巨额投资将用于：
　　扩建1c DRAM产线满足HBM4需求
　　量产24GB GDDR7显卡内存
　　推广128GB大容量DDR5服务器模组
　　开发高密度QLC固态硬盘
　　分析师指出，当前DRAM和NAND芯片价格已进入上升通道，这种趋势可能延续多个季度。
　　危机与机遇并存 三星押注HBM4实现弯道超车
　　面对SK海力士在HBM3E市场的领先地位（目前已占据36%DRAM市场份额），三星正将代工业务精锐力量调入存储部门，计划通过"逻辑芯片+HBM"一体化设计实现差异化竞争。其独特优势在于：
　　利用自研晶圆代工技术提升数据传输效率
　　按客户IP定制专属HBM4解决方案
　　尽管竞争压力巨大，但三星半导体部门第三季度营业利润率已从1.4%飙升至21.1%，印证了存储芯片业务的结构性复苏。
　　随着AI服务器、自动驾驶和大模型训练需求持续放量，存储芯片行业正迎来黄金发展期。三星的产能警报也预示着：在可预见的未来，高性能存储器的供需失衡或将成为常态，这场由技术革新驱动的供给竞赛才刚刚开始。