SK海力士加速布局GDDR7市场：1c制程量产在即

出处：维库电子市场网

全球存储芯片巨头SK海力士正积极推进基于10纳米级第六代(1c)DRAM的第七代图形内存(GDDR7)量产计划，预计快将于2025年底在韩国利川M16工厂启动生产，并于2026年起全面扩大供应规模。这一技术突破不仅标志着图形DRAM领域的重大进展，更凸显了SK海力士在高端存储器市场的战略布局。
　　制程技术加速迭代
　　值得注意的是，SK海力士去年才刚实现基于1b制程的16Gb GDDR7量产，如今不到一年便转向更先进的1c纳米制程。这一快速迭代速度远超当前市场主导者三星电子（仍以1b纳米产品为主），展现出SK海力士在图形内存领域的技术领先优势。根据业界消息，特斯拉与英伟达(NVIDIA)将成为首批采用该产品的核心客户，预计将配合其新一代显卡与自动驾驶计算平台的发布节奏。
　　成本策略与市场定位
　　业内人士分析指出，SK海力士此次加速GDDR7布局与HBM4存储器成本压力密切相关。由于HBM4的"basedie"需委托台积电代工，其成本高达自主生产的5-6倍，导致HBM3E向HBM4过渡期间总成本预计增加30%。在此背景下，GDDR7成为SK海力士平衡产品组合、分散成本风险的关键战略方向。
　　产能扩张与技术投入
　　为支持先进制程量产，SK海力士正大规模引进EUV光刻设备，计划在2027年前新增约20台设备，使现有EUV规模扩大一倍。这些单价达3000亿-5000亿韩元的高端设备将率先部署于M15X工厂，后续逐步导入M16产线，预计总投入将超6万亿韩元。完成扩张后，SK海力士EUV设备保有量将跃居全球前三，与英特尔比肩。
　　随着人工智能与自动驾驶应用持续爆发，高性能图形DRAM需求激增，SK海力士此次技术跃进或将重塑市场竞争格局。在HBM与GDDR双赛道并行的战略下，该公司正通过制程创新与产能扩张，巩固其在高端存储市场的领先地位。